Khaosod
นายกฯ เปิดรง.อินฟินีออน 4.8 หมื่นล.ฐานชิปพลังงาน ชูไทยฮับเซมิคอนดักเตอร์โลก
Compiled by KHAO Editorial — aggregated from 3 outlets. See llms.txt for citation guidance.
3 แหล่งข่าวยืนยัน
นายกฯ กดปุ่มเปิดโรงงาน “อินฟินีออน” เฟสแรก 4.8 หมื่นล้าน บีโอไอชี้หากขยายครบ 5 เฟส ดันไทยเป็นฐานผลิต Back-end ใหญ่ที่สุดของอินฟินีออนในโลก
Key facts
- นายนฤตม์ เทอดสถีรศักดิ์ เลขาธิการคณะกรรมการส่งเสริมการลงทุน (บีโอไอ) เปิดเผยว่า เมื่อวันที่ 1 ตุลาคม 2569 นายอนุทิน ชาญวีรกูล นายกรัฐมนตรี เป็นประธานเปิดโรงงานแห่งใหม่ของบริษัท อินฟินีออน เทคโนโลยีส์ แมนูแฟคเชอริ่ง (ประเทศไทย) จำกัด
- เฟสแรก 4.8 หมื่นล้าน บีโอไอชี้หากขยายครบ 5 เฟส ดันไทยเป็นฐานผลิต Back-end ใหญ่ที่สุดของอินฟินีออนในโลก
- ซึ่งได้รับการส่งเสริมการลงทุนจากบีโอไอ มูลค่ากว่า 48,000 ล้านบาท ครอบคลุมการผลิตระบบชิปควบคุมพลังงาน (Power Module) การทดสอบวงจรรวม (IC) และเวเฟอร์ (Wafer) รวมถึงการวิจัยและพัฒนาผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์
- หากลงทุนครบทั้งหมด จะมีพื้นที่คลีนรูมรวม 150,000 ตารางเมตร และกลายเป็นฐานการผลิตขั้นประกอบและทดสอบ (Back-end) ที่ใหญ่ที่สุดในโลกของอินฟินีออน
Summary
การลงทุนครั้งนี้ถือเป็นการยกระดับบทบาทของไทยในห่วงโซ่เซมิคอนดักเตอร์โลก โดยโรงงานแห่งใหม่เป็นฐานผลิต Power Module แห่งที่ 3 ของอินฟินีออน ต่อจากเยอรมนีและจีน เริ่มเปิดสายการผลิตเฟสแรก หรือ Module A บนพื้นที่คลีนรูม 30,000 ตารางเมตร และมีแผนขยายได้ถึง 5 เฟส หรือ Module A-E
ซึ่งได้รับการส่งเสริมการลงทุนจากบีโอไอ มูลค่ากว่า 48,000 ล้านบาท ครอบคลุมการผลิตระบบชิปควบคุมพลังงาน (Power Module) การทดสอบวงจรรวม (IC) และเวเฟอร์ (Wafer) รวมถึงการวิจัยและพัฒนาผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์
หากลงทุนครบทั้งหมด จะมีพื้นที่คลีนรูมรวม 150,000 ตารางเมตร และกลายเป็นฐานการผลิตขั้นประกอบและทดสอบ (Back-end) ที่ใหญ่ที่สุดในโลกของอินฟินีออน